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IPDD60R050G7XTMA1有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格
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Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET采用创新型无引线SMD TO (TOLL) 封装（采用开尔文源极概念）。G7 MOSFET将经过改进的600V和650V CoolMOS™ G7技术、4引脚开尔文源极功能以及无引线TO封装的更高热性能相结合。因此，该SMD解决方案适合用于大电流硬开关拓扑，如高达3kW的功率因数校正 (PFC)。600V CoolMOS™ G7 MOSFET可用于高端LLC等谐振电路。
CoolMOS™ G7技术提供低RDS(on)，因此可实现更高的效率、更快的开关速度以及更高的功率密度。G7外形小巧，可通过缩短组装时间降低生产成本。
同类最佳FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on)x QG
同类最佳RDS(on)，占位极小
内置4引脚开尔文源极配置和低寄生源极电感 (~1nH)
达到MSL1级、完全不含铅、设有便于目视检查的槽纹引线
改善了热性能
通过开尔文源极降低了寄生源极电感，从而提高了开关效率和易用性
TOLL封装简便易用，具有最高质量标准
由于改善了热性能，因此SMD TOLL封装可用于大电流的设计
650V G7：相比之前的650V CoolMOS™ C7，FOM RDS(on) x QGis提高了14%，实现了更高的效率
600V G7：相比之前的600V CoolMOS™ C7，FOM RDS(on) x QGis提高了16%，实现了更高的效率
650V G7：出色的功率密度、同类最佳33mΩ、115mm2 TOLL封装
600V G7：出色的功率密度、同类最佳28mΩ、115mm2 TOLL封装
IPDD60R050G7XTMA1制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-HDSOP-10
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 68 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 1700
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: IPDD60R050G7 SP001632818
IPDD60R050G7XTMA1
IPT60R050G7XTMA1
IPT60R150G7XTMA1
IPT60R125G7XTMA1
IPT65R033G7XTMA1
IPT65R105G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1
IPT60R028G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1
IPDD60R080G7XTMA1
IPDD60R190G7XTMA1
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
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