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Infineon Technologies CoolMOS™ 7超级结MOSFET为能源效率、功率密度和简单易用设立了新标准。CoolMOS 7技术针对特定应用进行优化，采用创新的封装，集成了各种技术。CoolMOS 7 MOSFET非常适合用于让电动汽车充电站更小巧、输出更高、充电更快的应用。由于CoolMOS 7的出现，新一代适配器和充电器更小巧、更轻盈、更高效。通过CoolMOS 7，工程师可以让可再生能源系统更经济、更高效。
Infineon提供全面的栅极驱动器IC - EiceDRIVER™产品组合，优化用于广泛的应用和多种开关类型，如MOSFET、开尔文源极MOSFET和GaN HEMT。
Infineon CoolMOS C7 MOSFET设计用于记录电平效率性能，与先前的CoolMOS系列和竞品相比，在硬开关应用的整个负载范围内都具有巨大的效率优势。C7 MOSFET是技术上的一大进步，不仅RDS(on)/封装低，而且其开关损耗低，在整个负载范围内提高了效率。C7 MOSFET优化用于太阳能、服务器、电信和UPS等应用中的功率因数校正 (CCM PFC)、双晶体管正激 (TTF) 和太阳能升压等技术。
Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) MOSFET采用创新型无引线SMD TO (TOLL) 封装（采用开尔文源极概念）。G7 MOSFET经过改进的600V和650V CoolMOS G7技术、4引脚开尔文源极功能以及无引线TO封装的更高热性能相结合。这可为高达3kW的大电流硬开关拓扑（如功率因数校正(PFC)）提供SMD解决方案。对于600V CoolMOS G7，MOSFET可用于高端LLC等谐振电路。
IPW60R040CFD7XKSA1制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 109 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 227 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: CoolMOS CFD7
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 112 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
零件号别名: IPW60R040CFD7 SP001686068
IPW60R040CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
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IPA60R280CFD7XKSA1
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IPN80R2K4P7ATMA1
IPP60R280CFD7XKSA1
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深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等）。
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