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NTMFD5C470NLT1G 绝对保证原装 NTMFD5C674NLT1G 系统电压轨

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2019-01-02 09:11 | 浏览次数 : 563

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ON Semiconductor 双N通道功率MOSFETNTMFD5C470NLT1G  NTMFD5C674NLT1G  有现货 可添加我们联系方式获取最优惠价格

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安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基,采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间,最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。

内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间

低侧MOSFET,集成肖特基

最大限度地降低寄生电感

5mm x 6mm的小尺寸,设计紧凑

低RDS(on) 值,可最大限度降低导通损耗

低QG和电容,可最大限度地降低驱动器损耗

经优化可降低功耗的器件

这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

直流-直流转换器

系统电压轨

负载点

NTMFD5C470NLT1G  NTMFD5C674NLT1G  制造商: ON Semiconductor 

产品种类: MOSFET 

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: DFN-8 

通道数量: 2 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V 

Id-连续漏极电流: 36 A 

Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 9 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

配置: Dual 

Pd-功率耗散: 24 W 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 30 S  

CNHTS: 8541290000  

下降时间: 36 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85412999  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 55 ns  

工厂包装数量: 1500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 20 ns  

典型接通延迟时间: 9.3 ns

ON Semiconductor 双N通道功率MOSFET

NTMFD5C470NLT1G

NTMFD5C674NLT1G

NTMFD4C20NT1G

NTMFD4902NFT1G

NTMFD4901NFT1G

NTMFD5C446NLT1G

NTMFD5C680NLT1G

NTMFD4C20NT3G

NTMFD4902NFT3G

NTMFD4C50NT1G

NTMFD4901NFT3G

NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT3G

NTMFD4C87NT3G

NTMFD4C87NT1G

NTMFD5C466NLT1G

NTMFD4952NFT3G

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NTMFD4951NFT3G



深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。

专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。

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