这些功率MOSFET采用意法半导体独特的STripFET工艺开发，该工艺专为最小化输入电容和栅极电荷而设计这使得该器件适合作为初级开关在先进的高效率隔离DC-DC转换器的电信和计算机应用，以及低栅极电荷驱动要求的应用。

Mouser编号：511-STB120NF10

制造商编号：STB120NF10T4

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp

制造商: STMicroelectronics  

产品种类: MOSFET  

 技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: D2PAK-3  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 100 V  

Id-连续漏极电流: 110 A  

Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 172 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 175 C  

Pd-功率耗散: 312 W  

通道模式: Enhancement  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: STMicroelectronics  

配置: Single  

下降时间: 68 ns  

高度: 4.6 mm  

长度: 10.4 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 90 ns  

系列: STB120NF10  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET  

类型: MOSFET  

典型关闭延迟时间: 132 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

宽度: 9.35 mm  

单位重量: 4 g 

特征：
卓越的dv/dt能力
100%雪崩测试
面向应用的表征